Новости лаборатории

Одномерные халькогениды: будущее наноэлектроники? Обзор в NanoLetters

В статье, опубликованной в журнале Nano Letters представлен обзор, объединяющий результаты десятков исследований в области материаловедения посвященных одномерным халькогенидам переходных металлов — ультратонких структурах, напоминающих нити толщиной в несколько атомов. Такие материалы, например Ta₂Pd₃Se₈ или Nb₂Pd₃Se₈, обладают уникальным сочетанием свойств: они проводят ток подобно металлам, но при этом чувствительны к свету и газам, а их стабильность превосходит многие аналоги.

Современные технологии упираются в физические ограничения. Кремний, основа микрочипов, уже не может обеспечить рост скорости и энергоэффективности устройств. Обзор систематизирует данные о материалах, которые могут стать «преемниками» кремния. Например, нанопровода на основе халькогенидов демонстрируют плотность тока до 100 000 ампер на квадратный сантиметр — это в сотни раз выше, чем у современных полупроводников. При этом они сохраняют работоспособность даже при 500°C, что критично для космических технологий или промышленной электроники. Авторы подчеркивают: эти результаты — не единичные прорывы, а устойчивый тренд, подтвержденный множеством независимых экспериментов.

Обзор охватывает десятки потенциальных применений. Например, сенсоры на основе Ta₂Pt₃Se₈ способны обнаруживать следовые концентрации токсичных газов (например, 0,5 частиц NO₂ на миллион) даже без подогрева — это решает проблему энергопотребления в системах экологического мониторинга. В оптоэлектронике материалы вроде Ta₂Ni₃Se₈ поглощают свет от ультрафиолета до инфракрасного диапазона, что открывает путь к созданию «универсальных» фотодетекторов для телекоммуникаций или систем ночного видения. Отдельно выделены медицинские перспективы: биосовместимые нанопровода могли бы стать основой для имплантируемых датчиков, отслеживающих состояние организма в реальном времени.

Главная проблема данных материалов — масштабирование производства. Современные методы синтеза, такие как химическое осаждение из паровой фазы, позволяют получать лишь микроскопические количества материала. Другая задача — интеграция с кремниевой электроникой. Например, контакты между нанопроводами и традиционными микросхемами пока создают «узкие места», снижающие эффективность. Тем не менее стоит отметить, что одномерные халькогениды — не абстрактная идея, а реальная альтернатива традиционным материалам.
Статья Обзор